Taiwan ၏ TSMC ( Taiwan Semiconductor Manufacturing Co ) ပြီးရင် ကမ္ဘာပေါ်တွင် ဒုတိယ အကြီးဆုံး လွတ်လပ်သော ကုမ္ပဏီ ဖြစ်သည့် Samsung Foundry သည် AnandTech ၏ အဆို အရ 3nm process node ကို ပြောင်းလဲမှု တချို့ ပြုလုပ်ခဲ့ ပါတယ်။ Samsung Foundry မှ ပထမဆုံးသော chips များကို 3GAE (3nm Gate-All-Around Early) သုံး၍ ထုတ်လုပ်မှာ ဖြစ်ပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် တစ်နှစ် အကြာတွင် ပုံမှန်ထက်ပိုမိုမြင့်မားသောထုတ်လုပ်မှု ( high-volume manufacturing )ကို ပြုလုပ်သွားမှာပဲ ဖြစ်ပါတယ်။ ၎င်းကို Samsung’s roadmap မှလည်း ဖယ်ထုတ် ထားပြီး 3GAE ကို ပြည်တွင်း အသုံးပြုမှုအတွက်သာ ထုတ်လုပ် နိုင်သည်ဟု ဖော်ပြ ထားပါတယ်။

Samsung ကိုယ်စားလှယ် တစ် ဦး က“ 3GAE process အတွက် ကျွန်တော်တို့ဟာ customers တွေနဲ့ ဆွေးနွေးပြီး ၂၀၂၂ မှာ mass-produce 3GAE ကို မျှော်လင့် နေပါတယ်” ဟု ပြောကြား ခဲ့ပါတယ်။

3GAE’s successor ဖြစ်သော 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) node ကို ၂၀၂၃ ခုနှစ်တွင် စတင်ရန် မျှော်မှန်းထားသော volume manufacturing ကို roadmap တွင် ဖော်ပြ ထားပါတယ်။ အထက် ဖော်ပြပါ roadmap ကို တရုတ်နိုင်ငံ Foundry Forum 2021 တွင် ပြသခဲ့ ပါတယ်။ Samsung Foundry သည် Baidu နှင့် Weibo တို့တွင် ပုံနှိပ် ထုတ်ဝေခဲ့ပြီးဖြစ်သော နောက်ဆုံးပေါ် tech roadmap ကို မိတ်ဆက်ခဲ့ ပါတယ်။

FinFET transistor architecture ဟောင်းကို အသုံးပြုထားသော chips များအနေဖြင့် Samsung သည် ၂၀၂၁ နှင့် ၂၀၂၂ တို့တွင် high-volume manufacturing နှင့်အတူ ၎င်း၏ roadmap တွင် 5LPP နှင့် 4LPP တို့ကို ထည့်သွင်းခဲ့ ပါတယ်။ ၂၀၁၉ မေလတွင် Samsung က 3GAE နှင့် 3GAP node များကို ပြသသောအခါ ၎င်းသည် စွမ်းဆောင်ရည် 35% တိုးတက်မည်ဟု ကြေငြာခဲ့ ပါသေးတယ်။ ယခင် generation process node ဖြစ်သော 7LPP နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက power consumption 50% ထိ လျော့နည်းသွား ပါတယ်။

တစ်ချိန်တည်းမှာပင် ၂၀၁၉ ခုနှစ်တွင် 3GAA (Gate-All-Around Transistor Architecture) ကို အသုံးပြု၍ volume-production ကို ၂၀၂၁ ခုနှစ် နှောင်းပိုင်းတွင် စတင်မည်ဟု ကြေငြာခဲ့ ပါတယ်။ Samsung ဘက်မှ နှောင့်နှေးမှု အနည်းငယ် (သို့မဟုတ်) မှားယွင်းစွာ တွက်ချက်မှုများ ရှိခဲ့သည်ဟု ကောက်ချက် ချနိုင် ပါတယ်။ ဘယ်လိုပဲဖြစ်ဖြစ် Sammy ရဲ့ အစောပိုင်း nodes များကို ထုတ်လုပ်သူတွေက large degree တစ်ခုအထိ မသုံးကြတဲ့အတွက် big deal တစ်ခုတော့ မဟုတ်ခဲ့ပါဘူး။

လွန်ခဲ့သော ရက်အနည်းငယ်က Samsung Foundry သည် ၎င်း၏ Gate-All-Around (GAA) transistor architecture ကိုသုံးသော 3nm chipကို ထုတ်ယူခဲ့ ပါတယ်။ Chip ကို ထုတ်ယူခြင်းသည် ၎င်း၏ ဒီဇိုင်းလည်ပတ်မှု (design cycle) နောက်ဆုံး လုပ်ရပ်ဖြစ်ပြီး ရလဒ်နှစ်ခု အနက်မှ တစ်ခု ဖြစ်ပါတယ်။ အဆုံးစွန်သော ကိစ္စတို့တွင် အသေးစား ပြင်ဆင်မှု လိုအပ်လိမ့်မည် (သို့မဟုတ်) ဒီဇိုင်းကို အလုံးစုံ ပြုပြင်ရန် လိုအပ် ပါတယ်။

Reference: phonearena

သတင်းဆောင်းပါးများ ဖတ်ရှုနိုင်ရန် နှင့်ရသစုံ ဗီဒီယိုများကို လက်မလွတ်တမ်း ကြည့်ရှုနိုင်ရန် Mitelar Facebook Page , Mitelar Website နှင့် Mitelar Youtube Channel တို့တွင် အသေးစိတ် ဝင်ရောက်လေ့လာကြည့်ရှုနိုင်ပြီး Like နဲ့ Followလေးလုပ်ထားဖို့လဲမမေ့ပါနဲနော်…။